位置：IRG4BC10SD > IRG4BC10SD详情
IRG4BC10SD中文资料
IRG4BC10SD数据手册规格书PDF详情
Standard Speed CoPack IGBT
Features
• Extremely low voltage drop 1.1Vtyp. @ 2A
• S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives.
• Very Tight Vce(on) distribution
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
• Industry standard TO-220AB package
Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available
• IGBTs optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing
• Lower losses than MOSFETs conduction and Diode losses
IRG4BC10SD产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4BC10SD
- 功能描述
IGBT UFAST 600V 14.0A TO-220AB
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
-
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IR |
24+ |
TO-262 |
6000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
IR |
24+ |
TO-220AB |
8866 |
||||
IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
||||
IR |
23+ |
TO-220AB |
8600 |
全新原装现货 |
|||
IR |
2015+ |
TO-220AB |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
IR |
25+23+ |
TO-220 |
28951 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
INFINEON |
1503+ |
TO-220 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
IRG4BC10SD 资料下载更多...
IRG4BC10SD 芯片相关型号
- B43866A2686M008
- B43866F2156M008
- B43890A5106M009
- B43896A5685M003
- B66307-G500-X1
- B66307-G-X187
- C0805C200MDRAC
- C114G102G5CG5CS
- C1210C120MDRAC
- C1825C120JCRAC
- C440C569K5G5CA
- C512C479H2R5CA
- C522C479H2R5CA
- GP1A53HRJ00F
- GS1D
- GS1M-T3
- IRGB4B60K
- MMSZ5251BS-T1
- MMSZ5254BS-T1
- MMSZ5255BS-T1
- MMSZ5255B-T1
- STA3KB124JE
- STA3KB32JE
- STA3KB36JE
- T419B105K020PH4250
- T429B105M020SK4250
- T429D105J020RK4250
- T499D227M006AGE15K
- XC6111D536
- XC6113D536
IRF相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
International Rectifier
中文资料: 32033条
International Rectifier Corporation（简称IRF）是一家全球领先的功率半导体制造商，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名，提供多种类型的整流二极管，包括肖特基二极管和超快恢复二极管，同时还开发IGBT（绝缘栅双极晶体管）和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉，并于2014年被英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收购，这一收购旨在增强英飞凌在
