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IRG4BC10SD-L中文资料

厂家型号

IRG4BC10SD-L

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217.3Kbytes

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12

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)

DIODE IGBT 600V 14.0A TO-262

数据手册

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生产厂商

IRF

IRG4BC10SD-L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC10SD-L

  • 功能描述

    DIODE IGBT 600V 14.0A TO-262

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-5 16:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-262
6000
只做原厂渠道 可追溯货源
IR
05+
原厂原装
1251
只做全新原装真实现货供应
IR
24+
TO-262
8866
IR
24+
原厂封装
100
原装现货假一罚十
IR
2015+
TO-262
12500
全新原装,现货库存长期供应
INFINEON
25+
TO-262
3000
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
IR
22+
TO-262
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
IR
23+
TO-262
7300
专注配单,只做原装进口现货
Infineon Technologies
23+
原装
7000