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IRFB4110QPBF中文资料

厂家型号

IRFB4110QPBF

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306.08Kbytes

页面数量

8

功能描述

HEXFET Power MOSFET

MOSFET

数据手册

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生产厂商

IRF

IRFB4110QPBF数据手册规格书PDF详情

Benefits

Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness

Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

175°C Operating Temperature

Automotive [Q101] Qualified

Applications

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

Uninterruptible Power Supply

High Speed Power Switching

Hard Switched and High Frequency Circuits

Lead-Free

IRFB4110QPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFB4110QPBF

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-6 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-220AB
208
International Rectifier
2022+
1
全新原装 货期两周
IR
23+
TO220-3
3000
原装正品假一罚百!可开增票!
IR
22+
TO-220AB
6000
十年配单,只做原装
IR
23+
TO-220AB
6000
原装正品,支持实单
IR
23+
TO-220AB
8000
只做原装现货
IR
23+
TO-220AB
7000
INTERNATIONA
24+
NA
5000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
IR
21+
TO-220
10000
原装现货假一罚十
IR
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货