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Benefits
* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt
Ruggedness
* Fully Characterized Capacitance and Avalanche
SOA
* Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
* Lead Free
* RoHS Compliant, Halogen-Free
* VDS (V) =100V
* ID = 120 A (VGS = 10V)
* R DS(ON) < 4.5mΩ(VGS=10V)
IRFB4110产品属性
- 类型描述 
- 型号IRFB4110 
- 功能描述MOSFET MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC 
- RoHS否 
- 制造商STMicroelectronics 
- 晶体管极性N-Channel 
- 汲极/源极击穿电压650 V 
- 闸/源击穿电压25 V 
- 漏极连续电流130 A 电阻汲极/源极 
- RDS(导通)0.014 Ohms 
- 配置Single 
- 安装风格Through Hole 
- 封装/箱体Max247 
- 封装Tube 
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IRFB4110PBF 价格
参考价格:¥6.6967
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