位置:IRF7807VD2 > IRF7807VD2详情

IRF7807VD2中文资料

厂家型号

IRF7807VD2

文件大小

115.03Kbytes

页面数量

9

功能描述

FETKY??MOSFET / SCHOTTKY DIODE

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

IRF

IRF7807VD2数据手册规格书PDF详情

Description

The FETKY™ family of Co-Pack HEXFETMOSFETs and Schottky diodes offers the designer an innovative, board space saving solution for switching regulator and power management applications. HEXFET power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining this technology with International Rectifier’s low forward drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics applications.

• Co-Pack N-channel HEXFET® Power MOSFET

and Schottky Diode

• Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC

Converters Up to 5A Output

• Low Conduction Losses

• Low Switching Losses

• Low Vf Schottky Rectifier

IRF7807VD2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF7807VD2

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    FETKY™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-7 16:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IRF7807VD2PBF
3596
3596
IOR
23+
SO-8
7000
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购!
IOR
25+
SO-8
3200
绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电!
IR
25+
PLCC44
18000
原厂直接发货进口原装
IR
06+
原厂原装
241
只做全新原装真实现货供应
IR
24+
SOP-8
5825
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
IR
25+
SOP-8
2987
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电!
IR
23+
SOP-8
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
IR
20+
SOP-8
2960
诚信交易大量库存现货
IR
1709+
SOP8
45000
普通