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IRF7807VD1PBF中文资料

厂家型号

IRF7807VD1PBF

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9

功能描述

LOW CONDUCTION LOSSES

MOSFET FETKY 30V VBRDSS 25mOhms 9.5nC

数据手册

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生产厂商

IRF

IRF7807VD1PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF7807VD1PBF

  • 功能描述

    MOSFET FETKY 30V VBRDSS 25mOhms 9.5nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-17 15:35:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
23+
SOIC8
19901
原装正品,假一罚十
IR
2016+
SOP8
9000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
IR
25+
SOIC8
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SOIC8
36375
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International Rectifier
2022+
1
全新原装 货期两周
IR
24+
65230
IR
2447
SOIC8
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SOP-8
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SOIC8
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50000
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