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IRF640FP中文资料

厂家型号

IRF640FP

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功能描述

IRF640FP 18A 200V N CHANNEL POWER MOSFET

MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp

数据手册

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生产厂商

FCI

IRF640FP数据手册规格书PDF详情

GENERAL DESCRIPTION

This Power MOSFET is designed for low voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.

FEATURES

♦ Silicon Gate for Fast Switching Speeds

♦ Low RDS(on) to Minimize On-Losses. Specified at Elevated Temperature

♦ Rugged – SOA is Power Dissipation Limited

♦ Source-to-Drain Characterized for Use With Inductive Loads

IRF640FP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF640FP

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-6 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
24+
TO220ISOFUL
8510
绝对原装现货,价格低,欢迎询购!
IR
24+
TO-220F-3
8866
ST
20+
TO-220
36900
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ST/意法
23+
TO-220F
50000
全新原装正品现货,支持订货
ST/意法
23+
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50000
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VB
21+
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原装现货假一罚十
ST
22+
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原厂渠道,现货配单
ST
23+
TO-220
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原装正品,支持实单
ST/意法
24+
NA/
35750
原装现货,当天可交货,原型号开票
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