位置：首页 > IC中文资料第5995页 > IXTU08N100P
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXTU08N100P | 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 包装：管件 描述：MOSFET N-CH 1000V 8A TO251 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXTU08N100P | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 | Littelfuse 力特 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.74 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：158.83 Kbytes Page：4 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：263.36 Kbytes Page：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：158.83 Kbytes Page：4 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
IXTU08N100P产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXTU08N100P
- 功能描述
MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
TO-251 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
VBsemi |
24+ |
TO251 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
IXYS |
24+ |
TO-251 |
146 |
||||
IXYS |
23+ |
TO-251 |
7000 |
||||
IXYS |
20+ |
TO-251 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
VBsemi |
21+ |
TO251 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VBsemi |
23+ |
TO251 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS |
22+ |
TO2513 Short Leads IPak TO251A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
VBSEMI |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
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2023-9-18IXYH50N120C3D1
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2023-5-24IXYH24N170C
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2023-5-24IXTH60N20X4
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2022-8-31IXTH60N20X4
IXTH60N20X4
2022-8-11IXTT16N10D2
IXTT16N10D2
2022-6-9
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