位置：首页 > IC中文资料第3312页 > IXTT16N10D2
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXTT16N10D2 | Depletion Mode MOSFET FEATURES · Drain Current -ID（on)=16A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSX= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 64mΩ(Max)@VGS= 0V APPLICATIONS ·Audio Amplifiers ·Start-up Circuits ·Protection Circuits | ISC 无锡固电 |   | |
IXTT16N10D2 | N沟道耗尽型MOSFET | Littelfuse 力特 | | |
IXTT16N10D2 | Depletion Mode MOSFET 文件：178.33 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | |
IXTT16N10D2 | N-Channel MOSFET 文件：201.98 Kbytes Page：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | | |
N-Channel MOSFET 文件：201.98 Kbytes Page：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
Depletion Mode MOSFET 文件：178.33 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
N-Channel MOSFET 文件：201.98 Kbytes Page：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
IXTT16N10D2产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXTT16N10D2
- 功能描述
MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-268 |
5 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-268 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
2450+ |
TO-268 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-268 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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IXYS |
22+ |
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-268 |
42000 |
只做原装进口现货 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO-268 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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2022-8-11IXTT16N10D2
IXTT16N10D2
2022-6-9IXTA3N120承诺百分之百原装
瀚佳科技： 专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28
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