位置：首页 > IC中文资料第1021页 > IXTQ48N20T
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXTQ48N20T | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：301.53 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | |
IXTQ48N20T | N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET | Littelfuse 力特 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=48A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.05Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv | ISC 无锡固电 | | ||
200V N-Channel MOSFET 200V N-Channel MOSFET | Fairchild 仙童半导体 | | ||
200V N-Channel MOSFET 文件：666.22 Kbytes Page：8 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.85 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier 文件：190.88 Kbytes Page：2 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
IXTQ48N20T产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXTQ48N20T
- 功能描述
MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
20+ |
TO-3P |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
IXYS |
25+ |
TO-3P |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO-3P |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-3P |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
IXYS/Littelfuse |
22+ |
TO-3P |
15800 |
全新原装正品现货直销 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-3P |
7000 |
||||
IXYS |
23+ |
TO-3P |
8000 |
只做原装现货 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
17+ |
TO-3P |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-3P |
60000 |
IXTQ48N20T规格书下载地址
IXTQ48N20T参数引脚图相关
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- k2055
- k2010
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- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
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2023-5-24IXTH60N20X4
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2022-8-31IXTH60N20X4
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2022-6-9IXTA3N120承诺百分之百原装
瀚佳科技： 专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28
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