位置：首页 > IC中文资料第4276页 > IXTP26P10T
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXTP26P10T | P通道MOSFET • 快速本征二极管\n• 较低的Qg和RDSon\n• 雪崩评级\n• 加大的FBSOA\n• 国际标准包装; | LITTELFUSE 力特 |   | |
IXTP26P10T | TrenchP Power MOSFETs 文件：187.21 Kbytes Page：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | | |
IXTP26P10T | isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：389.77 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
丝印代码：D2PAK；isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：320.56 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
TrenchP Power MOSFETs 文件：187.21 Kbytes Page：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
TrenchP Power MOSFETs 文件：187.21 Kbytes Page：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
丝印代码：DPAK；isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：303.87 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
IXTP26P10T产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXTP26P10T
- 功能描述
MOSFET MOSFET P-CH 200V 26A TO-220
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
25+ |
TO-220 |
20300 |
IXYS/艾赛斯原装特价IXTP26P10T即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
25+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-220 |
22612 |
全新 发货1-2天 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-220-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
IXYS/LITTELFUSE |
2004 |
TO-220 |
15800 |
全新原装正品现货直销 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-220 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-220 |
7000 |
||||
IXYS |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
25+ |
TO-220 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
25+ |
TO-220 |
90000 |
全新原装现货 |
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2022-6-9IXTA3N120承诺百分之百原装
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2018-12-28
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