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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXTP05N100P

N通道标准 Polar™ MOSFET

• 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;

LITTELFUSE

力特

IXTP05N100P

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

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IXYS

艾赛斯

IXTP05N100P

Fast Intrinsic Diode

文件:283.46 Kbytes Page:7 Pages

IXYS

艾赛斯

High Voltage MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated Features ● International standard packages ● High voltage, Low RDS (on) HDMOS™ process ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Fast switching times Applications ● Switch-mode and resonant-mode power supplies ● Flyback inverters ● DC ch

IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

High Voltage MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated Features ● International standard packages ● High voltage, Low RDS (on) HDMOS™ process ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Fast switching times Applications ● Switch-mode and resonant-mode power supplies ● Flyback inverters ● DC ch

IXYS

艾赛斯

High Voltage HiperFET

文件:115.97 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

艾赛斯

丝印代码:D2PAK;isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:298.81 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTP05N100P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTP05N100P

  • 功能描述

    MOSFET Polar Pwr MOSFET 1KV w/reduced Rds(on)

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-8-2 16:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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SOP8
5000
全新原装现货!价格优惠!可长期
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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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IXYS(艾赛斯)全系列在售

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