位置：首页 > IC中文资料第405页 > IXTK80N25
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXTK80N25 | High Current MegaMOSTM FET 文件：568.92 Kbytes Page：5 Pages | IXYS |   | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 16mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and PFC Circuits.. | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 16mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：503.16 Kbytes Page：6 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | | ||
N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：533.27 Kbytes Page：6 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | |
IXTK80N25产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXTK80N25
- 功能描述
MOSFET 80 Amps 250V 0.033 Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
21+ |
TO-264 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
FET |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IXYS |
23+24 |
TO-3PL |
9860 |
原厂原包装。终端BOM表可配单。可开13%增值税 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
25+ |
FET |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-264 |
3800 |
原厂原装正品 |
|||
IXH |
25+ |
TO-264 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
IXYS |
1932+ |
TO-3PL |
617 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IXYS |
22+ |
TO2643 TO264AA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-3PL |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO-3PL |
10000 |
原装现货假一罚十 |
IXTK80N25规格书下载地址
IXTK80N25参数引脚图相关
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2023-5-24IXTH60N20X4
IXTH60N20X4
2022-8-31IXTH60N20X4
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2022-6-9IXTA3N120承诺百分之百原装
瀚佳科技： 专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28
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