位置：首页 > IC中文资料第405页 > IXTK80N25
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXTK80N25 | High Current MegaMOSTM FET 文件：568.92 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXTK80N25 | N-Channel: Standard Power MOSFETs | Littelfuse 力特 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 16mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and PFC Circuits.. | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 16mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：503.16 Kbytes Page：6 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | | ||
N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：533.27 Kbytes Page：6 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | |
IXTK80N25产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXTK80N25
- 功能描述
MOSFET 80 Amps 250V 0.033 Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Littelfuse/IXYS |
24+ |
TO2643 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
IXYS |
2450+ |
TO-264 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
IXYS |
25+ |
管3PL |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
25+ |
FET |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
IXYS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-264 |
98900 |
原厂原装正品现货!! |
|||
IXYS |
23+ |
TO-3PL |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
IXYS |
24+ |
TO-264 |
8866 |
||||
IXYS |
17+ |
TO-264 |
60000 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-264 |
7000 |
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2023-5-24IXTH60N20X4
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瀚佳科技： 专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28
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