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IXTA50N28T

N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options

·Trench Gate MOSFET Technology\n·Break down voltages VDSS: 36V to 300V\n·Current ratings ID25: 12A to 660A\n·Ultra-low on-state resistance RDS(on)\n·Superior avalanche ruggedness\n·Junction temperature TJ up to 175°C\n·International standard packages;

LITTELFUSE

力特

IXTA50N28T产品属性

  • 类型

    描述

  • Package Style:

    TO-263

更新时间:2026-8-1 14:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TO-263-2
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全新原厂原装产品、公司现货销售

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