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P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG12P06Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

GOFORD

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

PowerFieldEffectTransistor P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola

PowerFieldEffectTransistor

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

PowerFieldEffectTransistor

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
更新时间:2025-8-1 17:00:01
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