IXGT30N120B3D1价格

参考价格:¥27.7292

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IXGT30N120B3D1

GenX31200VIGBT

HighspeedLowVsatPT IGBTs3-20kHzswitching VCES=1200V IC110=30A VCE(sat)≤£3.5V Tfi(typ)=204ns Features Optimizedforlowconductionandswitchinglosses SquareRBSOA Anti-parallelultrafastdiode Internationalstandardpackages Applications P

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

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IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

IXGT30N120B3D1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGT30N120B3D1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 60 Amps 1200V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-16 17:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
22+
TO264
50000
只做正品原装,假一罚十,欢迎咨询
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
6000
原装正品,支持实单
IXYS
21+
TO268
13880
公司只售原装,支持实单
IXYS/艾赛斯
23+
TO-268
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
IXYS
TO264
6000
原装现货,长期供应,终端可账期
IXYS/艾赛斯
23+
TO264
89630
当天发货全新原装现货
IXYS
19+
TO264
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IXYS-艾赛斯
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TO-268
6328
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS/艾赛斯
23+
TO264
9370
自己现货价格优势

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