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IXGT30N120B3D1中文资料

厂家型号

IXGT30N120B3D1

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221.58Kbytes

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7

功能描述

GenX3 1200V IGBT

IGBT 晶体管 60 Amps 1200V

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXGT30N120B3D1数据手册规格书PDF详情

High speed Low Vsat PT

IGBTs 3-20 kHz switching

VCES = 1200V

IC110 = 30A

VCE(sat) ≤£ 3.5V

Tfi(typ) = 204ns

Features

Optimized for low conduction and switching losses

Square RBSOA

Anti-parallel ultra fast diode

International standard packages

Applications

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Welding Machines

IXGT30N120B3D1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGT30N120B3D1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 60 Amps 1200V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
1809+
TO-268
326
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IXYS
22+
TO268
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IXYS
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IXYS
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TO-268-3 D?Pak(2 引线 + 接片
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IXYS
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IXYS
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IXGT30N120B3D1 价格

参考价格:¥27.7292

型号:IXGT30N120B3D1 品牌:IXYS 备注:这里有IXGT30N120B3D1多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXGT30N120B3D1批发/采购报价,IXGT30N120B3D1行情走势销售排排榜,IXGT30N120B3D1报价。