IXGP30N60C价格

参考价格:¥9.1684

型号:IXGP30N60C3 品牌:Ixys 备注:这里有IXGP30N60C多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXGP30N60C批发/采购报价,IXGP30N60C行情走势销售排行榜,IXGP30N60C报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

GenX3600VIGBT

HighSpeedPTIGBTsfor40-100kHzswitching Features Optimizedforlowswitchinglosses SquareRBSOA Internationalstandardpackages

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

GenX3TM600VIGBTw/SiCAnti-ParallelDiode

HighSpeedPTIGBTsfor40-100kHzSwitching Features ●OptimizedforLowSwitchingLosses ●SquareRBSOA ●Anti-ParallelSchottkyDiode ●InternationalStandardPackages Advantages ●HighPowerDensity ●LowGateDriveRequirement Applications ●HighFrequencyPowerInverters ●UPS ●

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

GenX3600VIGBTWithDiode

HighSpeedPTIGBTsfor 40-100kHzswitching Features ●Optimizedforlowswitchinglosses ●SquareRBSOA ●Anti-parallelultrafastdiode ●Internationalstandardpackages Advantages ●Highpowerdensity ●Lowgatedriverequirement Applications ●HighFrequencyPowerInverters ●UPS

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

HiPerFASTIGBTC2-ClassHighSpeedIGBTs

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IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

600VGenX3IGBTsnextgeneration600VIGBTsforpowerconversionapplications

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IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 60A 220W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 60A 220W TO220 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

BIDW30N60TInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

GeneralInformation TheBourns®ModelBIDW30N60TIGBTdevicecombinestechnologyfromaMOSgate andabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacteris

BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

ACTIVE/SYNCHRONOUSRECTIFIER

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DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

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DACO

DACO

DACO

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

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DACO

DACO

DACO

IXGP30N60C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGP30N60C

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 30 Amps 600V 2.7 V Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-6 19:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
TO220
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
IXYS/艾赛斯
2022
TO220
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
IXYS
23+
TO-TO-220
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
IXYS/艾赛斯
23+
TO-220
6000
原装正品,支持实单
IXYS-艾赛斯
24+25+/26+27+
TO-220-3
2368
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
21+
TO220AB
13880
公司只售原装,支持实单
IXYS
1746+
TO220
8862
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品!
IXYS
22+
TO220AB
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS/艾赛斯
22+
TO-220
25000
只做原装进口现货,专注配单

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    原装正品现货

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    IXGH60N60C3D1,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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