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IXGM30N60A

Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

Features International standard packages 2nd generation HDMOS™ process Low VCE(sat) - for low on-state conduction losses High current handling capability MOS Gate turn-on - drive simplicity Voltage rating guaranteed at high temperature (125°C)

IXYS

艾赛斯

BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

General Information The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris

Bourns

伯恩斯

Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode

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Infineon

英飞凌

ACTIVE / SYNCHRONOUS RECTIFIER

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DIODES

美台半导体

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DACO

罡境电子

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DACO

罡境电子

更新时间:2025-10-10 11:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
20+
TO-3
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原装优势主营型号-可开原型号增税票
IXYS/艾赛斯
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IXYS
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