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IXGH60N50

HIGHCURRENTMOSIGBT

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IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=110mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

LowVSWR

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ANARENAnaren

安伦

ANAREN

LowVSWR

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ANARENAnaren

安伦

ANAREN

AlNCeramic

文件:237.97 Kbytes Page:2 Pages

ANARENAnaren

安伦

ANAREN

HEXFETPowerMOSFET

文件:58.1 Kbytes Page:3 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IXGH60N50产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH60N50

  • 制造商

    IXYS

  • 制造商全称

    IXYS Corporation

  • 功能描述

    HIGH CURRENT MOSIGBT

更新时间:2024-6-6 17:03:00
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IXYS
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TO-247
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