型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

HiPerFASTIGBTC2-ClassHighSpeedIGBTs

C2-ClassHighSpeedIGBTs Features VeryhighfrequencyIGBT SquareRBSOA Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

High-GainIGBTs

High-SpeedPTTrenchIGBT Features OptimizedforLowSwitchingLosses InternationalStandardPackages SquareRBSOA

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 75A 400W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 90A 300W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

High-SpeedPTTrenchIGBTs

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IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

IGBT-FieldStopII

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

PowerMOSFET

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IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

Polar3HiperFETPowerMOSFET

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IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

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UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

文件:345.38 Kbytes Page:8 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

IXGH50N60C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH50N60C

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 50 Amps 600V 2.5 V Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-1 14:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS-艾赛斯
24+25+/26+27+
TO-247-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
IXYS
20+
TO-247
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IXYS
19+
TO-247AD(IXGH)
56800
只卖原装正品!价格超越代理!可开增值税发票!
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
08+(pbfree)
TO-247
8866
IXYS/艾赛斯
24+
TO247
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
IXYS
22+
TO247AD (IXGH)
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS/艾赛斯
21+ROHS
TO-247
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货

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