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IXGH48N60B3C1

GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode

Medium Speed Low Vsat PT IGBT 5 - 40 kHz Switching Features • Optimized for Low Conduction and Switching Losses • Square RBSOA • Anti-Parallel Schottky Diode • International Standard Package Advantages • High Power Density • Low Gate Drive Requirement Applications • Power Inverters

IXYS

IXGH48N60B3C1

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 75A 300W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXGH48N60B3C1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH48N60B3C1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 48A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-7 14:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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