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位置：首页 > IC中文资料第6692页 > IXGH48N60A3

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXGH48N60A3

GenX3600VIGBT

OVERVIEW IXYSextendsitsGenX3™insulatedgatebipolartransistor(IGBT)productlineto600volts.ThesenewIGBTsaremanufacturedusingIXYS’state-of-the-artGenX3™IGBTprocessandutilizeIXYS’advancedPunch-Though(PT)technology,tailoredtoprovidehighersurgecurrentcapabil

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGH48N60A3

600VGenX3IGBTsnextgeneration600VIGBTsforpowerconversionapplications

文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGH48N60A3

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 120A 300W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGH48N60A3D1

GenX3600VIGBTwithDiode

UltraLowVsatPTIGBTfor upto5kHzswitching Features •Optimizedforlowconductionlosses •SquareRBSOA •Anti-parallelultrafastdiode •Internationalstandardpackage Advantages •Highpowerdensity •Lowgatedriverequirement Applications •PowerInverters •UPS •MotorDri

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGH48N60A3D1

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 300W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGH48N60A3D1

600VGenX3IGBTsnextgeneration600VIGBTsforpowerconversionapplications

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IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGA48N60A3

TrenchField-StopIGBT

DESCRIPTION ·HighCurrentCapability ·LowGateDriveRequirement APPLICATIONS ·PowerInverters ·MotorDrives ·UPS,PFC ·PowerFactorCorrectionCircuits ·Weldingconverters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXGA48N60A3

GenX3600VIGBT

OVERVIEW IXYSextendsitsGenX3™insulatedgatebipolartransistor(IGBT)productlineto600volts.ThesenewIGBTsaremanufacturedusingIXYS’state-of-the-artGenX3™IGBTprocessandutilizeIXYS’advancedPunch-Though(PT)technology,tailoredtoprovidehighersurgecurrentcapabil

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGA48N60A3

600VGenX3IGBTsnextgeneration600VIGBTsforpowerconversionapplications

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IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

IXGH48N60A3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH48N60A3

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 75 Amps 600V 1.05 V Rds

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IXGH48N60A3供应商更多...

更新时间：2024-5-28 8:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市硅宇电子有限公司
IXGH48N60A3
IXYS/艾赛斯
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TO-247-3
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IXGH48N60A3
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