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IXGH36N60B3D4

GenX3600VIGBT

OVERVIEW IXYSextendsitsGenX3™insulatedgatebipolartransistor(IGBT)productlineto600volts.ThesenewIGBTsaremanufacturedusingIXYS’state-of-the-artGenX3™IGBTprocessandutilizeIXYS’advancedPunch-Though(PT)technology,tailoredtoprovidehighersurgecurrentcapabil

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IXYS Integrated Circuits Division

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IXGH36N60B3D4

600VGenX3IGBTsnextgeneration600VIGBTsforpowerconversionapplications

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IXGH36N60B3D4

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 250W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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IXGH36N60B3D4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH36N60B3D4

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 200 Amps 600V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-3 20:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYSCORPORAT
05+
原厂原装
4286
只做全新原装真实现货供应
IXYS/艾赛斯
24+
TO247
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS/艾赛斯
23+
NA/
5425
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
IXYS
20+
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36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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IXYS/艾赛斯
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IXYS
21+
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