型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXGH32N50BU1

HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack

VCES = 500 V IC25 = 60 A VCE(sat) = 2.0 V tfi = 80 ns Features International standard packages JEDEC TO-247 SMD surface mountable and JEDEC TO-247 AD High frequency IGBT and antiparallel FRED in one package High current handling capability Newest generation HDMOSTM process MOS Gate turn-o

IXYS

艾赛斯

IXGH32N50BU1

HiPerFAST™ IGBT with Diode Combi Pack

Littelfuse

力特

HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack

VCES = 500 V IC25 = 60 A VCE(sat) = 2.0 V tfi = 80 ns Features International standard packages JEDEC TO-247 SMD surface mountable and JEDEC TO-247 AD High frequency IGBT and antiparallel FRED in one package High current handling capability Newest generation HDMOSTM process MOS Gate turn-o

IXYS

艾赛斯

IXGH32N50BU1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH32N50BU1

  • 制造商

    IXYS

  • 制造商全称

    IXYS Corporation

  • 功能描述

    HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack

更新时间:2025-10-2 16:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
9301
1
公司优势库存 热卖中!
IX
24+
TO
200
I
23+
TO-247
6000
原装正品,支持实单
IXYS
23+
TO-3P
8000
只做原装现货
IXYS
23+
TO-3P
7000
I
TO-247
22+
6000
十年配单,只做原装
IXYS/艾赛斯
23+
TO-3P
24400
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS
9636+
TO-3P
19
现货
IXYS/艾赛斯
21+
TO-247
10000
原装现货假一罚十
I
25+
TO-247
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

IXGH32N50BU1数据表相关新闻