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IXGH32N50BU1

HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack

VCES = 500 V IC25 = 60 A VCE(sat) = 2.0 V tfi = 80 ns Features International standard packages JEDEC TO-247 SMD surface mountable and JEDEC TO-247 AD High frequency IGBT and antiparallel FRED in one package High current handling capability Newest generation HDMOSTM process MOS Gate turn-o

IXYS

艾赛斯

IXGH32N50BU1

HiPerFAST™ IGBT with Diode Combi Pack

LITTELFUSE

力特

HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack

VCES = 500 V IC25 = 60 A VCE(sat) = 2.0 V tfi = 80 ns Features International standard packages JEDEC TO-247 SMD surface mountable and JEDEC TO-247 AD High frequency IGBT and antiparallel FRED in one package High current handling capability Newest generation HDMOSTM process MOS Gate turn-o

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艾赛斯

IXGH32N50BU1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH32N50BU1

  • 制造商

    IXYS

  • 制造商全称

    IXYS Corporation

  • 功能描述

    HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack

更新时间:2026-3-3 17:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
25+
1
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IXYS
20+
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TO-247
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全现原装公司现货
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