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IXGH32N50BU1

HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack

VCES = 500 V IC25 = 60 A VCE(sat) = 2.0 V tfi = 80 ns Features International standard packages JEDEC TO-247 SMD surface mountable and JEDEC TO-247 AD High frequency IGBT and antiparallel FRED in one package High current handling capability Newest generation HDMOSTM process MOS Gate turn-o

IXYS

艾赛斯

HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack

VCES = 500 V IC25 = 60 A VCE(sat) = 2.0 V tfi = 80 ns Features International standard packages JEDEC TO-247 SMD surface mountable and JEDEC TO-247 AD High frequency IGBT and antiparallel FRED in one package High current handling capability Newest generation HDMOSTM process MOS Gate turn-o

IXYS

艾赛斯

IXGH32N50BU1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH32N50BU1

  • 制造商

    IXYS

  • 制造商全称

    IXYS Corporation

  • 功能描述

    HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack

更新时间:2025-8-17 10:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IX
24+
TO
200
IXYS/艾赛斯
22+
TO-3P
20000
原装现货,假一罚十
IXYS/艾赛斯
23+
TO-3P
24400
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS
23+
TO-3P
7000
IXYS
2017+
TO-3P
6528
只做原装正品假一赔十!
9301
1
公司优势库存 热卖中!
IXYS
23+
TO-3P
8000
只做原装现货
I
TO-247
22+
6000
十年配单,只做原装
IXYS/艾赛斯
21+
TO-247
10000
原装现货假一罚十
IXYS
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样

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