IXGH30N60C3D1价格

参考价格:¥20.8108

型号:IXGH30N60C3D1 品牌:Ixys 备注:这里有IXGH30N60C3D1多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXGH30N60C3D1批发/采购报价,IXGH30N60C3D1行情走势销售排行榜,IXGH30N60C3D1报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXGH30N60C3D1

GenX3 600V IGBT with Diode

High-Speed PT IGBTs for 40-100 kHz Switching Features • Optimized for Low Switching Losses • Square RBSOA • Anti-Parallel Ultra Fast Diode • International Standard Packages Advantages • High Power Density • Low Gate Drive Requirement Applications • High Frequency Power Inverters • UPS

IXYS

IXGH30N60C3D1

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

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IXYS

IXGH30N60C3D1

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 60A 220W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

GenX3 600V IGBT with Diode

High-Speed PT IGBTs for 40-100 kHz Switching Features • Optimized for Low Switching Losses • Square RBSOA • Anti-Parallel Ultra Fast Diode • International Standard Packages Advantages • High Power Density • Low Gate Drive Requirement Applications • High Frequency Power Inverters • UPS

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XPTTM 600V IGBT

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IXYS

IXGH30N60C3D1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH30N60C3D1

  • 功能描述

    IGBT 模块 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-8-8 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
1237
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
IXYS
20+
TO-247
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
24+
Module
1262
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!!
IXYS
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NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
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TO-247
25000
只做原装进口现货,专注配单
IXYS/艾赛斯
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS
25+23+
TO-247
38004
绝对原装正品全新进口深圳现货
IXGH30N60U1
88
88
IXYS
24+
TO-247
35200
一级代理分销/放心采购

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