型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXGH30N60C2

HiPerFAST IGBT

C2-Class High Speed IGBTs Features Very high frequency IGBT Square RBSOA High current handling capability MOS Gate turn-on - drive simplicity

IXYS

艾赛斯

IXGH30N60C2

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 70A 190W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

IXGH30N60C2

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 70A 190W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

IXGH30N60C2

PT 高频 IGBT

Littelfuse

力特

HiPerFAST IGBT with Diode

C2-Class High Speed IGBTs Features • Very high frequency IGBT • Square RBSOA • High current handling capability • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • PFC circuits • Uninterruptible power supplies (UPS) • Switched-mode and resonant-mode power supplies • AC motor spe

IXYS

艾赛斯

PT IGBTs

Littelfuse

力特

IGBT 600V 60A TO247AD

Littelfuse

力特

HiPerFAST IGBT

C2-Class High Speed IGBTs Features Very high frequency IGBT Square RBSOA High current handling capability MOS Gate turn-on - drive simplicity

IXYS

艾赛斯

HiPerFAST IGBT C2- Class High Speed IGBTs

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IXYS

艾赛斯

IXGH30N60C2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH30N60C2

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 30 Amps 600V 2.7 V Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-23 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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