型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXFX30N110P

Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXYS

艾赛斯

IXFX30N110P

N-Channel: Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

Littelfuse

力特

N-CHANNEL IGBT

FEATURES  Low gate charge  Trench FS Technology,  Saturation voltage: VCE(sat), typ = 1.7V IC = 30A and TC = 25°C APPLICATIONS  Induction heating(IH)  Inverterized microwave ovens  Soft switching applications

GWSEMI

唯圣电子

Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXYS

艾赛斯

Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXYS

艾赛斯

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IXYS

艾赛斯

IXFX30N110P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFX30N110P

  • 功能描述

    MOSFET 30 Amps 1100V 0.3600 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-22 15:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
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TO2473
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
24+
TO-247
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
IXYS/艾赛斯
23+
MODULE
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
24+
N/A
47000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
IXYS
25+
PLUS247
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS
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