型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXFT30N50Q3

HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier Features • Low Intrinsic Gate Resistance • International Standard Packages • Low Package Inductance • Fast Intrinsic Rectifier • Low RDS(on) and QG Advantages • High Power Density • Easy to Mount • Space Savings Applica

IXYS

艾赛斯

IXFT30N50Q3

N通道HiPerFET

Littelfuse

力特

HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier Features • Low Intrinsic Gate Resistance • International Standard Packages • Low Package Inductance • Fast Intrinsic Rectifier • Low RDS(on) and QG Advantages • High Power Density • Easy to Mount • Space Savings Applica

IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.2Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

IXFT30N50Q3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFT30N50Q3

  • 功能描述

    MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-30 13:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/美国艾赛斯
23+
TO-247
5000
公司只做原装,可配单
IXYS/艾赛斯
23+
TO-268
32322
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
24+
N/A
56000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
23+
TO-220
67980
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
NEXPERIA/安世
23+
SOT402-1
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
IXYS
22+
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
25+
TO-TO-220
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS
24+
NA
3095
进口原装正品优势供应
IXYS
24+
TO-268
8866

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