IXFN60N80P价格

参考价格:¥112.9361

型号:IXFN60N80P 品牌:IXYS 备注:这里有IXFN60N80P多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXFN60N80P批发/采购报价,IXFN60N80P行情走势销售排行榜,IXFN60N80P报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXFN60N80P

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION · Drain Current -ID= 53A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 140mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC converter · Battery Chargers · High Speed Power Switching Applications

ISC

无锡固电

IXFN60N80P

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Littelfuse

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IXFN60N80P

Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

IXFN60N80P

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Drain Current ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 140mΩ(Max) ·100 Avalanche Tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·High current , high speed s

ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

IXFN60N80P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFN60N80P

  • 功能描述

    MOSFET DIODE Id54 BVdass800

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-24 18:56:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
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25+
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18000
原厂直接发货进口原装
IXYS
24+
模块
200
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
IXYS
24+
TO-227
5000
全新原装正品,现货销售
德国IXYS艾塞斯
25+
MOUDLE
12000
原装正品假一罚十支持实单
原厂
2023+
模块
600
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IXYS
NEW
模块
3562
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
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6000
面议
19
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22+
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8000
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