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IXFN240N15T2

GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

GigaMOS™ TrenchT2 HiperFET™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features • International Standard Package • miniBLOC, with Aluminium Nitride Isolation • Isolation voltage 2500 V~ • High Current Handling Capability • Fast Intrinsic Diode • Avalanch

IXYS

艾赛斯

IXFN240N15T2

N通道沟槽栅 Gen2 MOSFET

Littelfuse

力特

N-Channel Power MOSFET

DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 240A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 5.2mΩ(max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Battery Chargers ·DC-DC Converters ·DC Choppers ·AC Motor Drives

ISC

无锡固电

GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

IXFN240N15T2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFN240N15T2

  • 功能描述

    功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    Micrel

  • 产品

    MOSFET Gate Drivers

  • 类型

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 电源电压-最大

    30 V

  • 电源电压-最小

    2.75 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-8

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-16 13:57:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
德国IXYS艾塞斯
25+
MOUDLE
12000
原装正品假一罚十支持实单
IXYS
24+
模块
6430
原装现货/欢迎来电咨询
IXFN24N100
25+
30
30
IXYS
24+
SOT-227BminiBLOC
54
IXYS/LITTELFUSE
1924
SOT-227
15800
全新原装正品现货直销
IXYS
19+/20+
SOT-227B
1000
主打产品价格优惠.全新原装正品
IXYS
23+
模块
2
全新原装正品现货,支持订货
IXYS
23+
模块
3000
原装正品假一罚百!可开增票!
IXYS
1215+
IXYS
150000
全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.
德国艾赛斯
2021+
二极管模块
40000
只做原装,可提供样品

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