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N-Channel MOSFET

DESCRIPTION · Drain Current -ID= 90A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =49mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC converter · High speed power switch

ISC

无锡固电

N通道HiPerFET

Littelfuse

力特

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

Power MOSFET

文件:149.07 Kbytes Page:6 Pages

IXYS

艾赛斯

HiperFET Power MOSFET Q3-Class

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IXYS

艾赛斯

N通道HiPerFET MOSFET

Littelfuse

力特

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti

Fairchild

仙童半导体

AlN Ceramic

文件:231.67 Kbytes Page:2 Pages

ANAREN

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET,FRFET 500V, 100A, 0.055廓

文件:725.39 Kbytes Page:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

文件:179.16 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFN100N50产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFN100N50

  • 功能描述

    MOSFET 500V 100A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-5 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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SOT-227B
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原装现货假一罚十
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23+
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IXYS(艾赛斯)全系列在售

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