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IXFA36N30P3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.11Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXFA36N30P3

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicRectifier

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IXYS

IXYS Corporation

IXYS

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicRectifier

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IXYS

IXYS Corporation

IXYS
更新时间:2025-7-21 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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NA/
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IXYS/LITTELFUSE
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TO-263
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