IXDN75N120价格

参考价格:¥154.0174

型号:IXDN75N120 品牌:IXYS 备注:这里有IXDN75N120多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXDN75N120批发/采购报价,IXDN75N120行情走势销售排行榜,IXDN75N120报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXDN75N120

High Voltage IGBT

Short Circuit SOA Capability Square RBSOA Features ● NPT IGBT technology ● low saturation voltage ● low switching losses ● square RBSOA, no latch up ● high short circuit capability ● positive temperature coefficient for easy paralleling ● MOS input, voltage controlled ● International sta

IXYS

艾赛斯

IXDN75N120

High Voltage IGBT

DESCRIPTION ·Space savings ·High Power Density ·Low Switching Losses APPLICATIONS ·DC servo and robot drives ·DC choppers ·UPS ·AC motor speed control

ISC

无锡固电

IXDN75N120

封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 包装:管件 描述:IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

IXYS

艾赛斯

IXDN75N120

NPT 标准 IGBT

Littelfuse

力特

IXDN75N120

High Voltage IGBT

文件:73.29 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

艾赛斯

Field Stop Trench IGBT

Features •1200V Field Stop Trench IGBT Technology •Low Conduction Loss •Positive Temperature Coefficient •Easy Parallel Operation •Short Circuit Withstanding Time 5 μ s •RoHS Compliant •JEDEC Qualification Applications Inverter, Solar, UPS, Welder

TRinno

IXDN75N120产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXDN75N120

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 75 Amps 1200V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-2 9:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
2015
模块
300
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售!
IXYS
22+
SOT227B
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS/艾赛斯
23+
MODULE
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS
24+
module
6000
全新原装正品现货 假一赔佰
IXYS/艾赛斯
2023+
MODULE
125
主打螺丝模块系列
德国艾赛斯
2022+
功率快恢复 二极管模块
20000
只做原装,可提供样品
IXYS/艾赛斯
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
IXYS
23+
MODULE
60558
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
24+
N/A
54000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
IXYS
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票

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