IXDN75N120价格

参考价格:¥154.0174

型号:IXDN75N120 品牌:IXYS 备注:这里有IXDN75N120多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXDN75N120批发/采购报价,IXDN75N120行情走势销售排行榜,IXDN75N120报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXDN75N120

High Voltage IGBT

Short Circuit SOA Capability Square RBSOA Features ● NPT IGBT technology ● low saturation voltage ● low switching losses ● square RBSOA, no latch up ● high short circuit capability ● positive temperature coefficient for easy paralleling ● MOS input, voltage controlled ● International sta

IXYS

艾赛斯

IXDN75N120

High Voltage IGBT

DESCRIPTION ·Space savings ·High Power Density ·Low Switching Losses APPLICATIONS ·DC servo and robot drives ·DC choppers ·UPS ·AC motor speed control

ISC

无锡固电

IXDN75N120

High Voltage IGBT

文件:73.29 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXDN75N120

封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 包装:管件 描述:IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

IXYS

艾赛斯

Field Stop Trench IGBT

Features •1200V Field Stop Trench IGBT Technology •Low Conduction Loss •Positive Temperature Coefficient •Easy Parallel Operation •Short Circuit Withstanding Time 5 μ s •RoHS Compliant •JEDEC Qualification Applications Inverter, Solar, UPS, Welder

TRinno

IXDN75N120产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXDN75N120

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 75 Amps 1200V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-14 22:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
23+
模块
20000
全新原装假一赔十
IXYS
24+
module
6000
全新原装正品现货 假一赔佰
IXYS
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
IXYS
24+
MODULE
1000
全新原装现货
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
原厂
2023+
模块
600
专营模块,继电器,公司原装现货
IXYS
19+/20+
SOT-227B
1000
主打产品价格优惠.全新原装正品
德国IXYS艾塞斯
23+
MOUDLE
12000
原装正品假一罚十支持实单
IXYS/艾赛斯
19+
MODULE
1290
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126
IXYS
23+
模块
3562

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