IXBH6N170价格

参考价格:¥29.6881

型号:IXBH6N170 品牌:Ixys 备注:这里有IXBH6N170多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXBH6N170批发/采购报价,IXBH6N170行情走势销售排行榜,IXBH6N170报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXBH6N170

High Voltage, High Gain BIMOSFET??Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ● High Blocking Voltage ● JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD ● Low conduction losses ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity ● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications ● AC motor speed control ● Uninterruptible

IXYS

艾赛斯

IXBH6N170

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1700V 12A 75W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

High Voltage, High Gain BIMOSFET??Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ● High Blocking Voltage ● JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD ● Low conduction losses ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity ● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications ● AC motor speed control ● Uninterruptible

IXYS

艾赛斯

High Voltage IGBT

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IXYS

艾赛斯

High Voltage IGBT

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IXYS

艾赛斯

High Voltage IGBT

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IXYS

艾赛斯

IXBH6N170产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXBH6N170

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 12 Amps 1700V 3.6 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-15 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
22+
TO-247
100000
代理渠道/只做原装/可含税
IXYS
11+
TO247
1
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IXYS
25+
TO-3
3000
全新原装、诚信经营、公司现货销售
IXYS/艾赛斯
24+
NA
1470
原装现货,专业配单专家
IXYS/艾赛斯
21+
TO-3P
10000
原装现货假一罚十
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
25+23+
TO-247
18635
绝对原装正品全新进口深圳现货
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
12300
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS
22+
TO247AD (IXBH)
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
23+
TO3P
5000
原装正品,假一罚十

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