IXBT6N170价格

参考价格:¥31.4345

型号:IXBT6N170 品牌:Ixys 备注:这里有IXBT6N170多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXBT6N170批发/采购报价,IXBT6N170行情走势销售排行榜,IXBT6N170报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXBT6N170

High Voltage, High Gain BIMOSFET??Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ● High Blocking Voltage ● JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD ● Low conduction losses ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity ● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications ● AC motor speed control ● Uninterruptible

IXYS

艾赛斯

IXBT6N170

封装/外壳:TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA 包装:管件 描述:IGBT 1700V 12A 75W TO268 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

IXBT6N170

BiMOSFET™ 高电压

Littelfuse

力特

High Voltage, High Gain BIMOSFET??Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ● High Blocking Voltage ● JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD ● Low conduction losses ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity ● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications ● AC motor speed control ● Uninterruptible

IXYS

艾赛斯

High Voltage IGBT

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IXYS

艾赛斯

High Voltage IGBT

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IXYS

艾赛斯

High Voltage IGBT

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IXYS

艾赛斯

IXBT6N170产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXBT6N170

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 12 Amps 1700V 3.6 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-26 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Littelfuse/IXYS
24+
TO-268
928
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
IXYS/艾赛斯
24+
MOSFET
6400
原装正品现货,假一罚十
IXYS
25+
TO-268-3 D?Pak(2 引线 + 接片
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS
22+
TO268
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
24+
TO-268
8866
IXYS/艾赛斯
23+
TO-268
6000
原装正品,支持实单
IXYS
2447
TO-268
105000
30个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期
IXYS/Littelfuse
25+
TO-247
15800
全新原装正品现货直销
原厂原包
24+
原装
38560
原装进口现货,工厂客户可以放款。17377264928微信同
24+
N/A
65000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择

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