位置：首页 > IC中文资料第3145页 > IXBH28N170
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor Features • High Blocking Voltage • JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD • Low conduction losses • High current handling capability • MOS Gate turn-on - drive simplicity • Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications • AC motor speed control • Uninterruptible | IXYS 艾赛斯 |   | ||
封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 1700V 30A 300W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS 艾赛斯 | | ||
High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor | Littelfuse 力特 | | ||
High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor Features • High Blocking Voltage • JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD • Low conduction losses • High current handling capability • MOS Gate turn-on - drive simplicity • Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications • AC motor speed control • Uninterruptible | IXYS 艾赛斯 | |
IXBH28N170产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXBH28N170
- 功能描述
IGBT 晶体管 30Amps 1700V
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
12300 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IXYS |
18+ |
TO247 |
190 |
原装 |
|||
24+ |
N/A |
60000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
IXYS |
2447 |
TO-247AD(IXBH) |
105000 |
30个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
8866 |
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2020-4-10
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