位置:首页 > IC中文资料第3145页 > IXBH28N170A
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IXBH28N170A | HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor Features •HighBlockingVoltage •JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD •Lowconductionlosses •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on-drivesimplicity •MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications •ACmotorspeedcontrol •Uninterruptible | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | ||
IXBH28N170A | 封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1700V 30A 300W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | ||
HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor Features •HighBlockingVoltage •JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD •Lowconductionlosses •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on-drivesimplicity •MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications •ACmotorspeedcontrol •Uninterruptible | IXYS IXYS Integrated Circuits Division |
IXBH28N170A产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXBH28N170A
- 功能描述
IGBT 晶体管 30Amps 1700V
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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23+ |
N/A |
67000 |
一级代理放心采购 |
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IXYS/艾赛斯 |
21+ROHS |
TO-247 |
12300 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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IXYS |
2112+ |
TO-247AD(IXBH) |
105000 |
30个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
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IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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IXYS |
21+ |
D?PAK(TO-263) |
21000 |
专业分立半导体,原装渠道正品现货 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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IXYS |
22+ |
NA |
18 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
10000 |
公司只做原装正品 |
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IXYS |
TO247 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
IXBH28N170A规格书下载地址
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2020-4-10
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