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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXBF42N300 | HighVoltage,BiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor Features ●SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate ●IsolatedMountingSurface ●3000V~ElectricalIsolation ●HighBlockingVoltage ●HighPeakCurrentCapability ●LowSaturationVoltage ●FBSOARated ●SCSOARated Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensit | IXYS IXYS Integrated Circuits Division |  |   |
IXBF42N300 | 封装/外壳：i4-Pac™-5（3 引线） 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 3000V TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | |
HighVoltage,BiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor Features •HighVoltagePackage •HighBlockingVoltage •HighPeakCurrentCapability •LowSaturationVoltage •FBSOA •SCSOA Advantages •LowGateDriveRequirement •HighPowerDensity Applications •LaserGenerators •CapacitorDischargeCircuits •ACSwitches •ProtectionCircu | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | | |
HighVoltage,BiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor Features •HighVoltagePackage •HighBlockingVoltage •HighPeakCurrentCapability •LowSaturationVoltage •FBSOA •SCSOA Advantages •LowGateDriveRequirement •HighPowerDensity Applications •LaserGenerators •CapacitorDischargeCircuits •ACSwitches •ProtectionCircu | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
08+(pbfree) |
TO-247 |
8866 |
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IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-247-3 |
2368 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
IXYS |
23+ |
DIP18 |
6000 |
15年原装正品企业 |
|||
IXYS |
24+ |
i4-Pac?-5(3 引线) |
9350 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
|||
IXYS |
18+ |
TO-247 |
2050 |
公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
21+ROHS |
ISOPLUSi4-PAC-3 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IXYS |
23+ |
ISOPLUS i4PAC? |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
IXYS |
11+ |
ISOPLUS i4-PAK-3 |
296 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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2020-4-10
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