位置：首页 > IC中文资料第5790页 > IXA30RG1200DHGLB-TRR
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
ISOPLUSSurfaceMountPowerDeviceBoostTopologyXPTIGBT 文件：173.01 Kbytes Page：7 Pages | IXYS IXYS Corporation |  |   |
IXA30RG1200DHGLB-TRR产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXA30RG1200DHGLB-TRR
- 功能描述
IGBT 模块 XPT IGBT Phaseleg ISOPLUS
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间：2025-7-23 12:28:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SHARP |
23+ |
BGAQFP |
8659 |
原装公司现货!原装正品价格优势. |
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SHARP/夏普 |
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QFP |
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IXYS(艾赛斯) |
23+ |
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7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS |
22+ |
ISOPLUSSMPD?.B |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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IXYS/艾赛斯 |
2447 |
SMD |
100500 |
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SHARP |
23+ |
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SHARP |
25+ |
TQFP |
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全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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SHARP |
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QFP |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
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SHARP |
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SOP |
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