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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXA30RG1200DHGLB | ISOPLUS Surface Mount Power Device Boost Topology XPT IGBT 文件：173.01 Kbytes Page：7 Pages | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXA30RG1200DHGLB | SMPD封装标准IGBT | Littelfuse 力特 | |
IXA30RG1200DHGLB产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXA30RG1200DHGLB
- 功能描述
IGBT 晶体管 XPT IGBT Phaseleg
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
更新时间：2025-10-2 17:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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