低压侧驱动器

• 吸出/灌入峰值驱动电流：1.5A至30A\n• 宽工作电压范围\n• -40°C至+125°C扩展工作温度范围\n• 逻辑输入可承受高达5V的负摆幅\n• 匹配的上升和下降时间\n• 低传播延迟时间\n• 低10µA电源电流\n• 低输出阻抗;

5-Ampere, Dual Low-Side MOSFET Driver

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符合AEC-Q100标准的低压侧驱动器

• 符合AEC-Q100标准\n• 双驱动器拉/灌5A驱动电流\n• 工作电压范围: 5V至20V\n• AEC-Q100 1级: -40°C至+125°C工作温度范围\n• AEC-Q100分类3A +/-4kV ESD等级（人体模型）\n• 每个驱动器都有独立的使能功能\n• 欠压锁定电路\n• 快速上升和下降时间（标准值为7ns）\n• 快速传播延迟（标准值为16ns）;

5-Ampere, Dual Low-Side MOSFET Driver

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5-Ampere, Dual Low-Side MOSFET Driver

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封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器

5-Ampere, Dual Low-Side MOSFET Driver

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5-Ampere, Dual Low-Side MOSFET Driver

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封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器

MOSFET/IGBT Gate Drivers

5-Ampere, Dual Low-Side MOSFET Driver

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5-Ampere, Dual Low-Side MOSFET Driver

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POWER TRANSISTORS(16A,100-160V,125W)

16A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSiSTORS 100 - 160 VOLTS 125 WATTS MJE4340 MJE4341 MJE4342 --> NPN MJE4343 MJE4350 MJE4351 MJE4352 --> PNP MJE4353

Stereo Decoder/Noise Blanker

Features • Internal reference voltage source • Adjustment free oscillator with ceramic resonator 456 kHz • Pilot dependent mono/stereo switching with hysteresis • Stereo indicator output • Analogue control of mono/stereo change over (stereo noise control, SNC) • Pilot canceller (19 kHz) • A

POW-R-BLOK Dual SCR Isolated Module 40 Amperes / Up to 1600 Volts

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POW-R-BLOK Dual SCR Isolated Module 40 Amperes / Up to 1600 Volts

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PNP NPN Darlington H-bridge

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