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P-Channel20-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SiliconDarlingtonTransistorsHighCurrent,GeneralPurpose

Description: TheNTE2349(NPN)andNTE2350(PNP)aresiliconcomplementaryDarlingtontransistorsinaTO3typepackagedesignedforuseasoutputdevicesingeneralpurposeamplifierapplications. Features: •HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=25A hFE=400(Min)@IC

NTE

NTE Electronics, Inc

NTE

2SC3229

文件:177.97 Kbytes Page:5 Pages

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KEC

1mA,Rail-to-Rail,CMOSOPERATIONALAMPLIFIERS

文件:141.55 Kbytes Page:7 Pages

1A,Rail-to-RailI/OCMOSOPERATIONALAMPLIFIERS

文件:1.1405 Mbytes Page:23 Pages

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI
更新时间:2024-6-5 16:16:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NTE
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TO-220-3
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    IWT3681,全新.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五,八五二七四六六二,企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三四六九零六.V:八七六八零五五八.

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