| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SMDSchottkyBarrierDiode Features IO=200mA VR=40V -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythinpackage. -Lowleakagecurrent(IR=0.1uAtyp.@VR=10V). -Majoritycarrierconduction. -Lead-freedevice MechanicalData -Case:0603(1608)1005(2512)standardpackage,moldedplastic. -Termin | ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司 |  |   | |
BLP0240 BLP0240 | BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司 |  | | |
SMDSchottkyBarrierDiode 文件：104.88 Kbytes Page：4 Pages | COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司 |  | | |
WirewoundResistors,IndustrialPower,SiliconeCoated,AdjustableEdgewoundTubular 文件：178.88 Kbytes Page：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |  | | |
WirewoundResistors,IndustrialPower,VitreousCoated 文件：176.54 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
上海贝岭 |
22+ |
TO220 TO263 TO263-7 TO247 |
150000 |
上海贝岭全系列在售,优势渠道 |
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BELLING/上海贝岭 |
1年内 |
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BELLING |
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NA |
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