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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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ISW65R041CFD | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on): 44mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·Designed for use in switch mo | ISC 无锡固电 |   | |
N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.75 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
extremely low losses due to very low fom rdson qg and eoss 文件：1.13537 Mbytes Page：15 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.75 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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