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128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES • High-speed access time: 45ns, 55ns, 70ns • CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating – 9 μW (typical) CMOS standby • TTL compatible interface levels • Single power supply – 1.65V--2.2V Vdd (62WV12816ALL) – 2.5V--3.6V Vdd (62WV12816BLL) • Fully static operation: no cl

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矽成半导体

128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES • High-speed access time: 45ns, 55ns, 70ns • CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating – 9 μW (typical) CMOS standby • TTL compatible interface levels • Single power supply – 1.65V--2.2V Vdd (62WV12816ALL) – 2.5V--3.6V Vdd (62WV12816BLL) • Fully static operation: no cl

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更新时间:2026-2-25 22:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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BGA
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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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