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ISCZ18150

Three Phases Rectifying Bridge Module

文件:264.01 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor

DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a FO-229 glued cap metal ceramic flange package, with emitter connected to flange. FEATURES • Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR • Interdigitated structure

Philips

飞利浦

更新时间:2025-8-6 15:15:00
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