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ISCF18136

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 600V(Min) ·High Switching Speed ·Wide SOA ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·High switching power applications

ISC

无锡固电

ISCF18136

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:297.79 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Track

Description 3 Wire Track 1m Aluminium Alloy - White

ATOMAitupu Technology Co., Ltd.

爱特姆深圳市爱特姆科技有限公司

更新时间:2025-9-26 16:05:00
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