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ISC030N12NM6

OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V

Features • N-channel, normal level • Very low on-resistance RDS(on) • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low reverse recovery charge (Qrr) • High avalanche energy rating • 175°C operating temperature • Optimized for high frequency switching and synchronous rectification •

Infineon

英飞凌

ISC030N12NM6

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Drain Current –ID=194A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- VDSS= 120V(Min) APPLICATIONS ·Synchronous Rectification in SMPS ·Switching converters,motor driver,relay driver·Power Tools ·UPS ·Motor Control

ISC

无锡固电

更新时间:2025-8-14 18:24:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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