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ISA250300C04LMDS

MOSFETOptiMOS™3Power‑Transistors,40V

Features •ComplementaryN‑andP‑channel •Verylowon‑resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •100%avalanchetested •Pb‑freeleadplating;RoHScompliant •Halogen‑freeaccordingtoIEC61249‑2‑21

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
更新时间:2025-8-4 15:12:00
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